Toshiba выпустила 24 нм SLC NAND чип флэш памяти объемом 16 Гб

Компания Toshiba America Electronic Components (TAEC), пополнила свой ассортимент новой 24 нм SLC NAND флэш памятью. Новый 16 Гб BENAND чип флэш памяти упакован по 48-пиновому стандарту TSOP. Чип обладает высокой скоростью чтения и записи (используется 8-битная BCH система коррекции ошибок), также увеличена максимальная рабочая температура.

Основанный на четырех ядрах по 4 Гб, 16 Гб BENAND работает при напряжении от 2.7 В до 3.3 В с диапазоном рабочих температур от -40°C до 85°C. Toshiba BENAND обладает высоким ресурсом, новая память увеличит срок службы любого устройства, в котором она будет использована – начиная с LCD телевизоров, заканчивая роботами и принтерами.

“SLC NAND все еще является важной частью NAND рынка, 24 нм устройства выполняют ключевую роль в замене старых NAND устройств, которые используются и по сей день”, - говорит Брайан Кумагаи (Brian Kumagai), директор по развитию бизнеса TAEC.

Toshiba 24 нм BENAND не требует поддержки ECC со стороны контроллера. Чип можно использовать вместе с контроллерами, которые не поддерживают 8-битный ECC (Error Correction Code). Инициатива Toshiba по выпуску и поддержке 24 нм SLC NAND флэш памяти позволит инженерам с уверенностью использовать данную память в устройствах нового поколения.