Каталог
ZV
ездный б-р, 19
+7 (495) 974-3333 +7 (495) 974-3333 Выбрать город: Москва
Подождите...
Получить токен
Соединиться
X
Сюда
Туда
x
Не выбрано товаров для сравнения
x
Корзина пуста
Итого: 
Оформить заказ
Сохранить заказ
Открыть корзину
Калькуляция
Очистить корзину
x
Главная
Магазины
Каталог
Мои заказы
Корзина
Магазины Доставка по РФ
Город
Область
Ваш город - ?
От выбранного города зависят цены, наличие товара и
способы доставки

Пятница, 27 февраля 2015 15:56

Intel на ISSCC: 10 нм по графику, закон Мура протянет до 55-летия, кремний скоро всё

короткая ссылка на новость:


   Intel считает, что закон Мура (число транзисторов на кристалле микросхемы удваивается каждые 24 месяца) будет действовать до перехода на техпроцесс 7 нм, после чего возможны варианты. Результатами исследований корпорация поделилась на завершившейся вчера конференции ISSCC (International Solid State Circuits Conference) в Сан-Франциско.

   Как сообщил прессе Марк Бор (Mark Bohr), директор Intel по разработке и внедрению новых микропроцессорных архитектур, текущая технология производства будет использоваться ещё несколько лет. Компания планирует перейти на 10 нм в 2016-ом, а на 7 – в 2018-ом году. Бор уверен, что переход не потребует применения новых и дорогостоящих технологий. Стоимость квадратного мм микросхемы растет, но поскольку плотность размещения транзисторов увеличивается быстрее, цена за транзистор продолжает снижаться.

   Закону Мура в этом году исполняется 50 лет, и, похоже, он будет действовать до своего 55- или даже 60-летия.

   
moore


   Пользуясь случаем, Бор пояснил журналистам, чем вызвана задержка выпуска 14 нм чипов Broadwell. Фаза разработки и получение приемлемого выхода годных микросхем заняли больше времени, чем планировалось. Также Бор отметил, что работа над 10 нм технологией идет в полтора раза быстрее, чем в случае с 14 нм.

   Для потребителей в ближайшие несколько лет будут доступны лишь продукты на 14 и 16 нм. AMD в настоящее время застряла на 28 нм техпроцессе, а первый ARM-процессор от Samsung на основе технологии 14 нм только поступил в массовое производство.

   Также Intel сообщила, что при производстве 7 нм чипов откажется от кремния. Другими словами, рубеж в 10 нм для кремния непреодолим. Назвать замену кремнию Intel пока не готова, но многие делают ставку на III-V полупроводник, такой как арсенид индия-галлия (InGaAs).

   EUV-литография с использованием жесткого ультрафиолетового излучения также обсуждалась, но, похоже, Intel не планирует использовать ее в производстве 10 и 7 нм чипов из-за проблем с развертыванием технологии в настоящее время.

   Intel рассматривает новые варианты компоновки чипов: 2.5D, когда кристаллы расположены бок о бок на подложке, и 3D с расположением кристаллов поверх друг друга. Оба варианта позволяют снизить энергопотребление, но 3D-компоновка явно нацелена на мобильный сектор и носимые устройства.

Источник: Fudzilla

подписаться   |   обсудить в ВК   |