Новейшая технология Intel и Micron позволит хранить 48 Гб на одном чипе флеш-памяти

    На последнем собрании инвесторов компания Intel раскрыла новые детали о своих твердотельных накопителях (SSD – Solid-State Drive) на базе микросхем памяти 3D NAND, планируемых к выпуску во 2-м полугодии 2015 года. Судя по представленным Intel материалам, опубликованным сайтом Techreport.com, этот чип – плод совместных усилий Intel и Micron – содержит 32 планарных слоя и позволяет хранить 256 гигабит (Гбит), или 32 гигабайта (Гб), на одном кристалле MLC-типа либо даже 384 Гбит (48 Гб) данных на одном кристалле TLC- типа (Three Level Cell).

    Старший вице-президент и глава отдела энергонезависимой памяти в компании Intel Роб Крук (Rob Crooke) пояснил, что чипы с технологией 3D NAND позволят в ближайшие пару лет создать SSD ёмкостью 10 терабайт (Тб); также эта технология позволит записать один терабайт данных в накопитель, имеющий профиль всего 2 миллиметра и поэтому «дружественный формату мобильных устройств». Мистер Крук также отметил, что технология 3D NAND станет прорывным решением в части затрат, воздержавшись, правда, от конкретных цифр. По его словам, хотя Intel, возможно, и не производит эти 3D NAND чипы, их выпуск может быть налажен «в случае необходимости».

   

    Мистер Крук провёл наглядную демонстрацию работы 3D NAND, запустив презентацию с прототипа SSD-накопителя на базе данной технологии. Хотя Intel не стала подробно освещать вопрос с сегментами рынка, для которых в первую очередь предназначены новейшие SSD, в числе приоритетов, вероятнее всего, датацентры, корпоративные клиенты и PC-системы для энтузиастов.

    Плотность хранения 32-слойных 3D NAND микросхем, равная 256 гигабитам на чип, позволяет говорить о превосходстве Intel и Micron над недавно анонсированной 32-слойной технологией Samsung V-NAND с возможностью записи 86 Гб в MLC-чипе и 128 Гб в TLC-чипе, что намного меньше 384 гигабайт в TLC-чипе, о которых говорят Micron и Intel. Следует, однако, учесть, что Samsung уже отгружает свою продукцию, и к моменту фактической доступности на рынке продукции Intel и Micron, т.е. к середине 2015-го года, технология Samsung V-NAND должна достичь новой стадии эволюции.