Samsung начинает массовое производство первых в мире 32-слойных чипов NAND Flash памяти с технологией 3D V-NAND

   Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявляет о начале массового производства первой в отрасли 32-слойной флеш-памяти 3D V-NAND в рамках технологии V-NAND 2-го поколения. 32-слойная технология Samsung 3D V-NAND (Vertical NAND) требует более высокого уровня в проектировании чипов, позволяющего интегрировать в вертикальной плоскости 32 массива ячеек памяти против прежних 24-х слоёв с обеспечением намного большей рентабельности благодаря возможности задействовать в практически неизменном виде производственные мощности для изготовления 24-слойных микросхем V-NAND 1-го поколения.

   

   Также Samsung запустила линейку премиальных твердотельных накопителей (SSD) ёмкостью 128 Гб, 256 Гб, 512 Гб и 1 Тб на базе чипов флеш-памяти V-NAND 2-го поколения. Развивая собственную рыночную базу, южнокорейский гигант электроники, представивший в прошлом году SSD Samsung на базе технологии 3D V-NAND для дата-центров, в этот раз расширяет линейку SSD V-NAND с включением моделей для high-end применений в сегменте персональных компьютеров (PC). «Мы повышаем доступность на рынке наших SSD с технологией 3D V-NAND, предлагая обширную линейку SSD V-NAND с охватом сегмента PC, помимо рынка дата-центров, – сказал Янг Юн Хун (Young-Hyun Jun), исполнительный вице-президент Samsung Electronics по маркетингу и продажам. – Способствуя стремительному распространению технологии 3D NAND, мы обеспечиваем стабильные, своевременные поставки в глобальном масштабе высокопроизводительных SSD на базе чипов памяти V-NAND с высокой плотностью ячеек памяти, а также сами чипы V-NAND для IT-клиентов».

   Новые SSD с технологией 3D V-NAND обладают примерно вдвое большим коэффициентом выносливости SSD (write endurance) и на 20% меньшим энергопотреблением на фоне устройств с многоуровневыми (MLC) ячейками NAND-памяти на базе планарной (2D) технологии. В этом году Samsung намерена пополнить семейство премиальных SSD с памятью V-NAND 2-го поколения с повышенной надёжностью и плотностью ячеек памяти для удовлетворения широко спектра потребностей пользователей. По данным недавнего исследования агентства Gartner, объём глобального рынка памяти ожидает рост с нынешних $75,5 млрд до примерно $79,7 млрд в 2017 году, где рыночная доля NAND flash памяти продолжит стремительное увеличение с превышением в 2017 году 50%-й отметки и достижением показателя в $44,6 млрд.