SanDisk будет производить 15 нм флэш память

Компания SanDisk Corporation, мировой лидер в производстве флэш памяти, представила новую технологию 1Z-нанометр (нм), уже готовую к массовому производству. Эта технология является одной из наиболее совершенных технологий NAND памяти в мире на данный момент. Новая 15 нм технология рассчитана на использование как с памятью два-бита-на-ячейку (X2), так и с памятью три-бита-на-ячейку (X3). Массовое производство пластин по новой технологии должно начаться во второй половине 2014 года.

«Мы с воодушевлением поддерживаем наше технологическое лидерство в индустрии благодаря новому, самому совершенному технологическому процессу, который позволяет нам получать самые маленькие и самые недорогие 128 гигабитные чипы памяти», - сказал Доктор Сива Сиварам (Dr. Siva Sivaram), старший вице-президент отдела технологий памяти, SanDisk. «Мы в восторге оттого, что новые чипы позволят нам еще больше расширить и разграничить наше портфолио решений на основе NAND памяти».

Новая 15 нм технология использует большое количество инноваций и решений для уменьшения чипа по обеим осям. SanDisk внедрила собственную архитектуру All-Bit-Lane (ABL), которая содержит проприетарные алгоритмы и многоуровневые схемы управления данными. Это помогло получить преимущества технологии 1Z без ущерба в производительности или надежности. Технология 1Z будет применяться SanDisk практически во всех продуктах компании – от карт памяти до серверных SSD.