Представлен новый стандарт памяти

   Компания SK Hynix объявила о выпуске для использования в мобильных устройствах DRAM-памяти DDR3L-RS (Reduced Standby) на базе 2x-нм норм проектирования. Как сообщается, новый стандарт памяти позволит значительно сократить энергопотребление в режиме ожидания.

   Благодаря применению передовой 2x-нанометровой технологии и эффективному механизму управления энергопотреблением в режиме ожидания память DDR3L-RS позволяет на 70% уменьшить потребляемую мощность в режиме ожидания по сравнению с получившей в последнее время широкое распространение памятью DDR3L с сохранением присущих ей показателей производительности. Как известно, память DDR3L работает при стандартном напряжении питания 1,35 Вольта против 1,5 Вольт у обычной DDR3 DRAM.

   Новинка представлена как в виде отдельных чипов, так и в виде модулей памяти. Отдельные микросхемы, применение которых позволит уменьшить профиль устройств, имеют ёмкость 2 Гигабита, 4 Гигабита и 8 Гигабит, тогда как готовые решения в виде модулей памяти форм-фактора SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) предлагаются в версиях на 2,4 и 8 Гигабайт.
   
   DRAM DDR3L-RS, как ожидается, получит распространение в составе ультрабуков (Ultrabook™) и планшетов, где ключевую роль играют мобильность и энергоэффективность. Разработка SK Hynix особенно конкурентоспособна по цене в сравнении со стандартом LPDDR3 и значительно более эффективна с точки зрения энергопотребления в режиме ожидания по сравнению с текущим стандартом DDR3L. Сочетание производительности DRAM-памяти на уровне мобильных устройств и настольных компьютеров позволяет компании благодаря этому промежуточному продукту рассчитывать на проникновение в новые сегменты рынка, включая ультрабуки начального/среднего уровня и планшетные ПК, а впоследствии и на их завоевание. По данным аналитической компании iSuppli, доля ультратонких решений в сегменте ноутбуков в этом году ожидается на уровне 11% с повышательной тенденцией до 39% в 2014 году и до 52% в 2015 году.

   «С выпуском DDR3L-RS DRAM мы имеем возможность предложить нашим клиентам конкурентоспособные по цене продукты с низким энергопотреблением, появление которых открывает новую страницу в истории полупроводниковой индустрии памяти благодаря тому, что эти решения являются лучшим вариантом для рынка устройств начального и среднего уровней», – заявил Джи Бум Ким (Ji Bum Kim), глава департамента глобальных продаж и маркетинга компании SK Hynix.