IBM и Micron начинают коммерческое производство первых 3D-чипов памяти

   Корпорация IBM и компания Micron Technology объявили о начале производства на мощностях компании Micron устройств памяти нового поколения на базе первой коммерчески значимой технологии производства CMOS с использованием технологии трёхмерного размещения чипов, получившей название Through-Silicon Via (TSV). Применение усовершенствованного техпроцесса TSV от IBM в сочетании с технологией Hybrid Memory Cube (HMC) от Micron позволяет достичь 15-кратного прироста быстродействия памяти в сравнении с современным технологическим уровнем.

   Hybrid Memory Cube предполагает объединение размещённых друг над другом отдельно выполненных чипов посредством элементов вертикальной интеграции, или каналов (англ. “via”), в то время как технология Through-Silicon Via, способствующая объединению трёхмерных элементов микроструктуры, послужит фундаментом для изготовления в промышленных масштабах новых устройств памяти. Детали прорывной производственной технологии TSV компания IBM представит в ходе мероприятия IEEE, которое пройдёт 5 декабря в Вашингтоне, США. Производство памяти HMC на основе диэлектриков с высоким показателем диэлектрической проницаемости и 32-нм проектных норм будет осуществляться на современном предприятии IBM по производству полупроводниковой продукции, расположенном в населённом пункте East Fishkill, штат Нью-Йорк.    Технология HMC использует вертикальные электрические соединения в рамках технологии TSV, связывающие между собой отдельные чипы, что обеспечивает совместную работу высокопроизводительной логики с современной памятью DRAM от Micron. HMC позволяет добиться показателей быстродействия и энергоэффективности, намного превосходящих возможности современных типов памяти. Так, опытный образец памяти HMC обеспечивает полосу пропускания на уровне 128 Гб/сек. Для сравнения: аналогичное устройство текущего поколения способно передавать не более 12,8 Гбит в секунду. Память HMC также требует на 70% меньше энергозатрат при передаче данных, обеспечивая при этом компактность на уровне всего 10% от размеров традиционного модуля памяти. Технология HMC способствует созданию нового поколения высокопроизводительных решений в различных областях применения – от крупномасштабных сетей и мощных компьютеров до промышленных систем и, наконец, решений потребительского класса.

   «Мы являемся свидетелями эпохального события, связанного с процессом перехода на трёхмерные технологии производства в индустрии полупроводников, – заявил представитель IBM Субу Лайер (Subu Iyer). – Наш новый производственный процесс выходит за рамки решений в области памяти, затрагивая другие сегменты рынка. В ближайшие несколько лет 3D-технология проникнет на потребительский рынок, принося с собой кардинальные улучшения в плане увеличения времени автономной работы и расширения функциональности устройств».

   Далее приводятся слова Роберта Ферла, вице-президента Micron по вопросам маркетинга DRAM-памяти: «HMC меняет правила игры на рынке, наконец-то предоставляя в распоряжение инженеров универсальное решение, позволяющее в широком диапазоне масштабировать производительность памяти и одновременно эффективно решать вопрос с энергопотреблением. Сотрудничество с IBM позволит выпускать наиболее привлекательные по своим характеристикам решения в области памяти».