Hynix и Toshiba объединяются для работы над MRAM

Наиболее распространенным на сегодняшний день типом компьютерной памяти является SDRAM в различных своих формах и вариациях. Обсуждение более быстрых, энергоэффективных и производительных вариантов замены этого устаревающего типа ведется давно. Hynix и Toshiba объявили о начале совместной работы над магниторезистивной памяти, использующей технологию переноса момента спина STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory).

Компании намерены сотрудничать не только в разработке, но и в производстве памяти нового типа. Объединение усилий позволит компаниям не только сэкономить средства, но и сократить время разработки и скорее вывести новый продукт на рынок. Но до начала продаж нового типа памяти еще далеко. Пока же компании распространили кросс-лицензирование и договора поставки на текущие продукты.

Если разработка MRAM увенчается успехом, этот тип памяти будет обладать рядом преимуществ над SDRAM. Во-первых, это энергонезависимость; другими словами, MRAM может использоваться подобно Flash-памяти, что означает возможность перевода компьютера в соответствующий режим ожидания без риска потери данных в случае отключения питания. MRAM также характеризуется большей энергоэффективностью и производительностью, чем SDRAM. Не следует ожидать, что MRAM скоро заменит Flash-память; такой цели не ставится. Однако возможно использование нового типа памяти в системах хранения в качестве высокопроизводительного кеша для SSD и жестких дисков, т.к. стоимость за Гб предполагается не очень высокой.