Samsung создала 3D модули памяти с увеличением плотности на 50%

   Компания Samsung объявила о выпуске новых 8Гб модулей памяти (DIMM), у которых чипы памяти расположены в две линии, друг над другом. Это позволяет увеличить плотность памяти на 50% по сравнению с традиционной технологией DIMM. Новая регистровая или буферизованная RDIMM память Samsung основана на текущих Green DDR3 DRAM и 40нм чипах. Новые модули памяти предназначены для использования в серверах и в корпоративных системах хранения данных.

   Технология трёхмерного размещения чипов называется в промышленности Through-hole Silicon Via (TSV). Samsung сообщает, что TSV экономит до 40% мощности, потребляемой обычными RDIMM. Использование технологии TSV позволит значительно улучшить плотность чипов в серверных системах следующего поколения, что, по мнению Samsung, делает подобные модули памяти привлекательными для высокопроизводительных систем высокой плотности.

   Технология TSV позволяет делать отверстия микронного размера, проходящие через кремниевый чип вертикально, а не только горизонтально, чтобы создать значительно более плотную архитектуру. Компания Samsung в конечном итоге планирует применять технологии TSV при создании памяти по 30нм техпроцессу и меньшего размера.

   "Наша RDIMM 40нм класса отмечает введение более передовой, экологически чистой линейки "зеленой памяти" с использованием 3D-технологии TSV, которая, как ожидается, упрочит лидерство Samsung и наших партнёров в серверах и корпоративных системах хранения", ─ заявил Чанг Хюн Ким (Chang-Hyun Kim), старший вице-президент по продуктам памяти в компании Samsung.

   Производитель сообщает, что новые модули RDIMM уже были успешно протестированы партнёрами Samsung. При этом Samsung пока не говорит какие-либо цены на новые RDIMM продукты, которые, вероятно, будут доступны для производителей оборудования во второй половине 2011 года.