Каталог
ZV
ездный б-р, 19
+7 (495) 974-3333 +7 (495) 974-3333 Выбрать город: Москва
Подождите...
Получить токен
Соединиться
X
Сюда
Туда
x
Не выбрано товаров для сравнения
x
Корзина пуста
Итого: 
Оформить заказ
Сохранить заказ
Открыть корзину
Калькуляция
Очистить корзину
x
X
Главная
Магазины
Каталог
Мои заказы
Корзина
Магазины Доставка по РФ
Город
Область
Ваш город - ?
От выбранного города зависят цены, наличие товара и
способы доставки

Четверг, 2 сентября 2010 12:40

ARM и GlobalFoundries приближают эру 28нм чипов

короткая ссылка на новость:
ARM и GlobalFoundries приближают эру 28нм чипов   На первой конференции Global Technology компания GlobalFoundries сообщила, что она планирует перейти на 28нм технологический процесс. При этом она, как и обещалось ранее, показала образец чипа, сделанного на базе двухъядерного процессора ARM Cortex-A9. Производитель утверждает, что это первое рабочее устройство, сделанное по 28нм техпроцессу на основе технологии high-k/metal-gate. Так называемый "Technology Qualification Vehicle" (TQV) позволит производителю оптимизировать 28нм технологический процесс для клиентских конструкций, сказал Грегг Барлетт (Gregg Barlett), старший вице-президент по технологиям и разработкам компании GlobalFoundries.

   TQV, совместно созданный в рамках сотрудничества с ARM, объявленного в прошлом году, достиг завершающего этапа в августе, на GlobalFoundries Fab 1 в Дрездене, Германия. Появление чипов ожидается в конце 2010 года. Дизайн TQV использует физической IP пакет ARM Cortex-A9, включая ряд стандартных библиотек ячеек, высокоскоростной макрос кэш-памяти для L1 и оптимизированную память. Он предназначен для имитации такого продукта, как система-на-чипе (SoC). TQV будут основаны на 28нм технологии GlobalFoundries High Performance (HP), ориентированной на высокопроизводительные проводные приложения.

   GlobalFoundries и ARM сообщили первые подробности о своей технологической платформе SoC в третьем квартале 2009 года. Компании считают, что новые чипы позволят обеспечить 40% увеличение быстродействия, 30% снижение потребления энергии и 100% увеличение срока автономной работы по сравнению с чипами поколения 40нм.

Источник: EETimes

подписаться   |   обсудить в ВК   |