Intel и Micron начали пробное производство 3-разрядных NAND чипов

   Во вторник, 17 августа, корпорация Intel и Micron Technology начали производство тестовых образцов NAND флэш-памяти с 3 разрядами на ячейку (TLC), которое осуществляется по 25нм технологическом процессе на фабрике их совместного предприятия, IM Flash Technologies LLC. Компания Intel (Санта-Клара, Калифорния) и Micron (г. Бойсе, штат Айдахо) заявили, что они рассчитывают начать серийное производство 3-разрядной NAND памяти к концу текущего года.

   Новые чипы памяти ёмкостью 64Гбит с 3 битами на ячейку, по мнению производителей, позволят повысить экономическую эффективность и обеспечат высокую ёмкость для USB-флешек, карт памяти Secure Digital и многих бытовых электронных устройств. Новые чипы памяти потребляют более чем на 20% меньше, чем 25нм MLC NAND чипы памяти Intel и Micron с аналогичным потенциалом, которые, как заявляют Intel и Micron, в настоящее время являются самыми маленькими 8-гигабайтными чипами на современном рынке.

   Чипы, разработанные IM Flash, с ёмкостью 64Гбит способны хранить по 3 бит информации в каждой ячейке, а не традиционные один бит (одноуровневые ячейки, SLC) или два бита (многоуровневые ячейки, MLC).