Intel и Micron удваивают ёмкость флеш-памяти

   Intel и Micron Technology объединили усилия, чтобы создать первые в мире 25нм чипы NAND Flash, что позволит удвоить ёмкость флеш-памяти по сравнению с современными решениями.

   Как сообщает ежемесячный журнал IEEE Spectrum, совместное предприятие, которое называется Intel-Micron Flash Technologies, первым начнёт производство чипов флэш-памяти, созданных на основе 25нм технологического процесса и предоставляющих значительное увеличение плотности по сравнению с нынешними 34нм чипами.

   Массовое производство планируется начать во втором квартале этого года. Вскоре после этого начнётся выпуск SSD и USB флешек с новыми чипами. 25нм техпроцесс позволяет упаковать 8Гб данных в чип 167мм², то есть фактически поместить память на десять CD дисков в объём отверстия в центре диска.

   Новости о 25нм прорыве в NAND технологии стал сюрпризом для конкурентов Intel и Micron, которые работали над сокращением своих техпроцессов. Сейчас Samsung разрабатывает 27нм техпроцесс, а Hynix занимается 26нм, таким образом, у Intel-Micron Flash Technologies, несомненно, окажется не такое уж и незначительное преимущество над соперниками.

   Хотя Intel-Micron Flash Technologies пока ещё не сообщили цены на свои новые NAND Flash чипы, считается, что процесс усадки и сопутствующего увеличения плотности данных поможет ценам на SSD снизиться до более приемлемых величин за гигабайт, что, разумеется, приведёт к росту популярности SSD на мировом рынке.