Samsung представляет первые в отрасли 40нм 4Гбит DDR3 чипы

   Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли "зеленых" (то есть с низким энергопотреблением) четырёхгигабитных DDR3 устройств, использующие 40нм техпроцесс. Ожидается, что высокая плотность памяти обеспечит значительную экономию электроэнергии в центрах обработки данных, серверных системах и высокопроизводительных ноутбуках.

   40нм чипы Samsung Green DDR3 оптимизированы для повышения энергетической эффективности и предназначены для серверов, соответствующих или превышающих новые спецификации энергопотребления Energy Star. 4Гбит DDR3 чипы позволяют повысить объём памяти, используемой в серверах, до 32Гб на модуль, что вдвое превышает максимальную плотность, возможную с модулями на основе 2Гбит компонент.

   С началом массового производства 4Гбит DDR3 чипов Samsung планирует перевести более 90% своей продукции DDR DRAM на 40нм технологии, чтобы предоставить своим клиентам наиболее экономически эффективные компоненты DRAM, доступные сегодня, в то же время укрепляя свои ведущие позиции на мировом рынке.

   Современные серверы в среднем оснащены шестью модулями памяти RDIMM на процессор, то есть могут использовать до 96Гб DRAM. Потребляемая мощность изменяется в зависимости от характеристик компонент. Модули, сделанные на основе 60нм техпроцесса, например, на чипах 1Гбит DDR2, потребляют 210Вт, тогда как модули на базе 40нм 2Гбит DDR3 потребляют 55Вт, что позволяет сэкономить около 75% энергии. Далее, новые 40нм 4Гбит DDR3 чипы позволят создать модули, потребляющие 36Вт, то есть примерно на 83% меньше по сравнению с модулями на 60нм 1Гбит DDR2 чипах. В условиях растущей озабоченности по поводу энергетических расходов центров обработки данных, эта экономия энергопотребления памяти позволит сократить энергию, потребляемую сервером, на 10%.

   40нм 4Гбит DDR3 чипы Samsung позволят увеличить ёмкость модулей памяти по сравнению с современными серверными системами по меньшей мере в два раза, так как они дают возможность увеличить ёмкость модуля памяти SODIMM до 8Гб. Это позволяет увеличить память до 16Гб на два сокета или 32Гб на четыре сокета, что, как ожидается, позволит удовлетворить растущий спрос на высокопроизводительные ноутбуки с улучшенной графикой. Новые 4Гбит DDR3 поддерживают спецификации 1.5V и 1.35V. Их скорость обмена данными достигает 1.6Гбит/с.