Учёные IBM достигли 100ГГц с графеновым транзистором

   В недавней статье, опубликованной в журнале Science, IBM опубликовала о создании самого быстрого в мире транзистора на основе графена. Эта статья отмечает веху в использовании углерода в электронике, работающей на радиочастотах. Самое главное, что графен был выращен эпитаксиально на пластине с использованием технологии, совместимой с современным производством на основе кремния.

   "Высокая подвижность носителей графена эксплуатируется в полевых транзисторах, работающих на высоких частотах. Транзисторы изготавливались на эпитаксиальном графене, синтезированном на кремниевой поверхности пластин карбида кремния, и достигали критической частоты 100 гигагерц для затвора длиной 240 нанометров. Ввысокочастотная производительность этих эпитаксиальных транзисторов с графеном превосходит возможности кремниевых транзисторов с той же длиной затвора".

   Графен уже давно считается потенциальным кандидатом для создания будущих транзисторов благодаря своим молекулярным характеристикам. Графен состоит из одного слоя атомов углерода, расположенных в гексагональной структуре, очень похожей на структуру обычных сот. По этой структуре электроны могут распространяться очень быстро, что позволяет демонстрировать высокие рабочие частоты. Длина затвора была довольно скромной, 240нм, что позволит в будущем значительно улучшать характеристики устройств. Частота транзистора 100ГГц, что в 2.5 раза выше, чем у лучших кремниевых транзисторов с такой же длиной затвора. Исследователи использовали транзисторную архитектуру с металлическим затвором с высокой диэлектрической постоянной.

   Работа, поддерживаемая DARPA, показала, что графен уже находится в пределах досягаемости для использования в интегральных микросхемах и высокопроизводительных решениях.