TSMC начнёт производство по 28нм техпроцессу в третьем квартале 2010 года

   Недавно Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) провела торжественную церемонию в штаб-квартире в Северо-Восточном Тайване в ознаменование завершения фазы 5 разработки производства 12" пластин на объекте "Gigafab", более известном как Fab 12. Иными словами, в этом году производитель рассчитывает на большое число научных исследований и разработок в области передовой литографии по 28нм и 22нм техпроцессам после того, как новая линия начнёт работать.

   TSMC заявила, что её линия с фазами 4 и 5 на Fab 12 специально предназначена для исследований и разработок, а также для первоначального массового производства. Компания уже проводит научные исследования и разработки с использованием 28нм и 22нм техпроцессов по фазе 1 и фазе 2, а в четвёртом квартале 2010 года планирует начать массовое производство по фазе 5. Однако до этого, в третьем квартале 2010 года, начнётся рисковое 28нм производство на новых линиях по фазе 5.

   "На Fab 12 будет фаза 5, и мы планируем быстро продвигаться в оборудовании и начать массовое производство в третьем квартале 2010 года, что является ещё одним примером нашей конкурентоспособности в оказании твердой поддержки клиентов", ─ сказал Марк Лиу (Mark Liu), старший вице-президент TSMC по операциям. Далее на Fab 12 планируется разработать фазу 6, которая в основном будет использоваться для исследований и разработок по 22нм техпроцессу.

   Кроме того, Марк Лиу сообщил, что TSMC улучшила выпуск по 40нм технологическому процессу, и сейчас качество 40нм пластин примерно на одном уровне с качеством 65нм пластин. Лиу заявил, что сопутствующие проблемы, которые влияли на выход годных 40нм чипов, были решены. Подробности Лиу не уточняет.