Toshiba создала 64Гб модуль встроенной NAND флеш-памяти

   Компания Toshiba объявила о выпуске первого в мире модуля встроенной NAND флеш-памяти ёмкостью 64Гб. Новый модуль высокой ёмкости, изображённый на фотографии, полностью совместим с новейшим стандартом eMMC, поставки образцов модуля парнёрам производителя уже начались. Как ожидается, массовое производство новых модулей флеш-памяти начнётся в первом квартале 2010 года, а на рынке устройства с этими модулями появятся где-то в начале следующего года.

   Используя 32нм техпроцесс, компании Toshiba удалось ужать шестнадцать 32Гбит (4Гб) чипов NAND Flash и встроенный контроллер корпус FBGA 14х18х1.4мм. При этом производитель использовал "передовую технологию истончения и расслоения чипа" для создания флэш-чипов толщиной всего 30 микрон (примерно в два раза тоньше волоса).

   Для пользователей появление новых чипов памяти приведёт к появлению моделей существующих продуктов с увеличенной ёмкостью. В ряде современных смартфонов используются чипы Toshiba предыдущего поколения, модули NAND флэш-памяти ёмкостью 16Гб и 32Гб. Можно предположить, что многие производители смартфонов уже работают над моделями с 64Гб чипами памяти.