Samsung представляет первые в отрасли 30нм 3-битные MLC NAND чипы

   Компания Samsung Electronics объявила о начале первого в отрасли массового производства 3-битных Multi-Level-Cell (MLC) NAND Flash чипов по 30нм техпроцессу. Новые чипы памяти будут использоваться в NAND флэш-модулях вместе с эксклюзивным 3-битным NAND контроллером Samsung. Первоначально эти чипы будут использоваться в 8Гб картах памяти Micro Secure Digital (MicroSD), позднее 3-битные чипы найдут своё применение в различных областях рынка.

   "Внедрение экономически эффективной 30нм 3-битной технологии расширяет нашу базу решений NAND памяти и делает NAND ещё более заманчивой для разнообразных рыночных приложений", ─ говорит Су-Ин Чо (Soo-In Cho), исполнительный вице-президент и генеральный менеджер отдела памяти компании Samsung. ─ "Наша 3-битная память NAND будет содействовать развитию экономически конкурентоспособных пользовательских накопителей с высокой плотностью записи".

   Трёхбитные ячейки памяти NAND позволяют повысить эффективность хранения данных на 50% по сравнению с современными 2-битными MLC NAND чипами. Новая 30нм память Samsung с 3-битными MLC NAND ячейками памяти позволит потребителям более эффективно хранить данные и может использоваться в широком диапазоне устройств, в том числе в популярных USB-флэшках.

   В 2005 году Samsung представила первые 50нм 16Гбит MLC NAND чипы памяти, после чего наступила эра беспрецедентного роста флэш вне высокопроизводительной, но и дорогой SLC (Single-Level-Cell) памяти. Массовое производство 30нм 3-битных NAND чипов, как ожидается, существенно повысит долю NAND флэш-памяти высокой плотности (32Гб и выше).