Samsung выпускает память PRAM и OneDRAM

   Д-р О-Юн Квон (Dr. Oh-Hyun Kwon), президент полупроводникового подразделения Samsung, сообщает, что производитель запустил производство новых чипов памяти, а именно 60нм 512Мбит PRAM (RAM на основе фазовых переходов) и 1Гбит собственных чипов OneDRAM. OneDRAM обеспечивает скорость передачи данных до 1.3Гбит/с, что на 20% быстрее, чем в предыдущей версии ёмкостью 512Мбит. Объявление было сделано в рамках шестого ежегодного форума Samsung Mobile Solutions, проходившего в Тайбэе 22 сентября.

   По словам Квона, в будущем PRAM станет одним из основных продуктов Samsung на рынке памяти. Квон считает, что эта память заменит NOR Flash в качестве следующего поколения энергонезависимой памяти для мобильных устройств.

   Из 512Mb чипа PRAM можно стереть 64 килослова (KWS) за 80 миллисекунд, то есть более чем в 10 раз быстрее, чем из чипа NOR флэш-памяти аналогичного объёма. В среднем чипы PRAM ёмкостью до 5Мб позволяют стирать и переписывать данные приблизительно в семь раз быстрее, чем чипы NOR Flash с той же ёмкостью, заявляет Samsung. Кроме того, производитель утверждает, что использование новых чипов PRAM позволит увеличить в среднем на 20% срок работы мобильных телефонов без подзарядки аккумулятора.