В 2010 году Toshiba и SanDisk начнут выпуск NAND флеш-чипов по 2Xнм техпроцессу

   Компания Toshiba и её партнёр по производству NAND Flash-памяти SanDisk планируют начать массовое производство NAND флэш-чипов, изготовленных по 20нм технологическому процессу во второй половине 2010 года. Как сообщает источник, в соответствии с планом перехода на более тонкие нормы совместное предприятие SanDisk и Toshiba, которое находится в Йоккаичи (префектура Миэ, Япония), увеличит производство примерно до 200000 пластин ежемесячно. Недавно компания Toshiba начала массовое производство чипов с 3 битами на ячейку (3bpc) по 32нм техпроцессу. Ожидается, что к концу 2009 года на эти чипы будет приходиться более 50% от общего объема выпуска фабрики в Йоккаичи. Однако, по некоторым данным, фабрика немного отстаёт от графика.

   Конкуренты, Intel и Micron Technology, заявили, что они рассчитывают ввести 2Xнм технологию в конце 2009 года. В настоящее время Intel и Micron работают над производством 32Гб чипов NAND флэш-памяти 3bpc, которые будут выпускаться по 34нм техпроцессу, и планируют вскоре перейти к массовому производству таких чипов.

   Источник сообщает, что компания Samsung Electronics также вкладывает ресурсы в разработку SSD и планирует преобразовать свою фабрику в г. Остин, штат Техас, в настоящее время выпускающую 8" пластины, в фабрику по производству 12" пластин для чипов NAND Flash. Ориентировочно это произойдёт во второй половине 2010 года. В настоящее время Samsung производит чипы флеш-памяти по 42нм техпроцессу.

   Источники, близкие к производителям модулей памяти, сообщают, что стоимость SSD значительно уменьшится после того, как NAND Flash чипы начнут производиться по 2Xнм техпроцессам, что ускорит замену традиционных жёстких дисков на твердотельные накопители.