Samsung начала кампанию "Зелёная память"

   Один из крупнейших производителей NAND-чипов, компания Samsung Electronics, начала новую кампанию, направленную на поощрение производства своих 40нм 2Гбит чипов DDR3-памяти. Кампания, которая проводится под названием "Зеленая память" (Green Memory), рассказывает о преимуществах использования энергосберегающей 40нм памяти, которая работает при напряжении 1.35В, то есть на 0.15В меньшем, чем утвержденное JEDEC напряжение для DDR3.

   Для начала Samsung представила сайт, который предоставляет подробные объяснения энергоэффективности DDR3 DRAM с пониженным входным напряжением.

   По словам ДонгСо Джана (DongSoo Jun), исполнительного вице-президента и генерального директора Samsung Digital AV Division, 40нм DDR3 DRAM использует всего 1.35В, это всего лишь четверть энергии, которая используется 60нм памятью, основным продуктом на рынке DRAM. Эта память позволяет одновременно удовлетворить растущий спрос на оперативную память для серверов, обрабатывающих большие объёмы информации, и обеспечить наличие на рынке памяти, позволяющей достичь высокой эффективности. Помимо прочих преимуществ, 40нм память DDR3 обеспечивает существенное сокращение эксплуатационных расходов.

   Компания Samsung начала производство 40нм 2Гбит DDR3 чипов памяти ещё в июле, в настоящее время эти чипы используются для производства модулей 4Гб SO-DIMM и UDIMM, а также 8Гб и 16Гб registered DIMM.