В июне Samsung начнёт производство чипов памяти PRAM

   После нескольких лет упорных разработок компания Samsung Electronics объявила о том, что она почти готова начать массовое производство первых микросхем памяти типа PRAM (phase change RAM, память с изменением фазы). Эта энергонезависимая память будет хранить данные с помощью "переключения" халькогенидного стекла между двумя фазами: кристаллической и аморфной. Теоретически эта память должна иметь скорость до 30 выше и число циклов перезаписи в 10 раз больше, чем современные чипы NOR и NAND флеш-памяти.

   Компания Samsung планирует начать массовое производство PRAM-памяти в июне этого года. Первые чипы памяти нового типа, которые предназначены для мобильных устройств, будут сделаны по 200нм техпроцессу, их ёмкость будет 512Мбит (64Мб).