Samsung удваивает ёмкость чипов DDR3 памяти

   Мировой лидер в области передовых технологий производства памяти, компания Samsung Electronics Co., Ltd. объявила о создании микросхем памяти большого объёма, а именно чипов DDR3 DRAM ёмкостью 4Гбит, сделанных по 50нм техпроцессу. Максимальная скорость новых чипов равна 1.6Гбит/с.

   Всё большее количество информационных центров стремится сократить количество используемых серверов. Появление чипов DDR3 памяти ёмкостью 4Гбит позволит значительно сократить расходы на оборудование и потребляемую электроэнергию, сократить время обработки запросов и в целом повысить эффективность.

   Из 4Гбитных чипов DDR3 памяти можно сделать 16Гб модули памяти RDIMM для серверов, а также 8Гб модули оперативной памяти DIMM (UDIMM) для персональных компьютеров. При этом пропускная способность 4Гбитных чипов памяти при напряжении 1.35В на 20% больше, чем у обычных DDR3 чипов при напряжении 1.5В. Энергопотребление 16Гб модуля оперативной памяти, сделанного на основе 4Гбитных DDR3 чипов, будет примерно на 20% меньше энергопотребления 16Гб модуля, сделанного на основе 2Гбитных DDR3 чипов из-за высокой плотности записи информации, а также из-за уменьшения количества используемых чипов (32 вместо 64).

   Осуществив переход на более тонкий 50нм технологический процесс, компания Samsung намерена оставаться лидером на рынке высокопроизводительной памяти. Около пяти месяцев назад Samsung разработала первые в мире 50нм 2Гбитные модули памяти.

   По прогнозам аналитиков, объём памяти серверов удваивается каждые два года, после чего увеличивается объём памяти, используемой в ноутбуках и компьютерах. Согласно статистическим данным аналитической компании International Data Corporation (IDC), в 2009 году на DDR3 память будет приходиться около 29% всего рынка DRAM, а в 2011 году ─ около 75%. Кроме того, IDC считает, что DDR3 память высокой плотности (2Гбит и больше) в 2009 году будет занимать 3% от общего объёма рынка, а в 2011 году уже 33%.