Micron и Sun разработали долговечную NAND-память

   Компания Micron Technology Inc. рассказала о сотрудничестве с компанией Sun Microsystems Inc. с целью разработки технологии производства Single-Level Cell (SLC) NAND флэш-памяти, которая позволила бы продлить срок службы накопителей на основе флэш-памяти и продлила бы срок работы этой памяти до одного миллиона циклов перезаписи. Новая технология обеспечивает высокие скорости чтения и записи. На основе разработки Micron и Sun можно усовершенствовать любой современный процесс производства NAND флэш-памяти. Micron не уточнил, как именно был усовершенствован технологический процесс.

   "Мы ожидаем, что эта технология революционизирует иерархию современных накопителей, а SSD-диски, сделанные по этой технологии, будут применяться для широкого диапазона задач, от систем хранения данных и организации обмена с дисковой памятью через кэш до серверов интернета и промышленных сетей," ─ сказал Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент компании Micron. "Компания Sun совместно с компанией Micron работала технологию NAND нового поколения для достижения этой важной вехи и для обеспечения потребностей потребителей в накопителях на основе флэш-памяти следующего поколения, сейчас и в будущем," ─ сказал Майкл Корнуэлл (Michael Cornwell), ведущий технолог отдела флэш-памяти компании Sun.

   Новая технология получила название Enterprise NAND. Сейчас производители отбирают и тестируют новые SSD-накопители ёмкостью до 32Гб. Массовое производство по новой технологии начнётся в первом квартале 2009 года. В начале следующего года Micron планирует представить как SLC, так и MLC память, сделанную по 34нм техпроцессу.