Создан прозрачный чип памяти

   Несколько учёных из корейского института науки и технологии (КИПНТ, Korea Advanced Institute of Science and Technology, KAIST) утверждают, что им удалось создать "почти полностью прозрачный" чип резистивной оперативной памяти (transparent resistive random access memory, TRRAM). Если это правда, то этот чип является первым в мире прозрачным чипом памяти.

   Исследования в области прозрачных электронных устройств ведутся уже много лет, но до сих пор удавалось получить только отдельные прозрачные элементы, например, транзисторы. Учёные КИПНТ создали уникальный чип, который полностью прозрачен.

   Чип TRRAM сделан на основе относительно новой технологии RRAM, которая разрабатывается такими компаниями, как Fujitsu, Samsung, Micron и Spansion, с целью создания технологии производтсва энергонезависимой памяти, способной в будущем заменить флэш-память. Пока неизвестно, сможет ли RRAM заменить флэш-память. В прошлом уже появлялись технологии, теоретически способные заменить флэш-память чем-то другим, однако эти технологии так и не выпущены в массовое производство. Технологии, основанные на флэш-памяти, ещё развиваются, и RRAM-памяти предстоит конкурировать с такими технологиями, как PRAM и MRAM. В июле этого года компания Hewlett-Packard одной из первых объявила о намерении использовать в своей продукции RRAM-память.

   Учёные КИПНТ сообщили, что их чип TRRAM основан на основе ITO/ZnO/ITO конденсатора (ITO это твёрдый раствор оксидов индия и олова друг в друге) и имеет коэффициент прозрачности 81%. Ожидаемое время хранения данных составляет 10 лет. Для достижения прозрачности исследователи использовали прозрачные оксиды металлов, специально разработанные прозрачные электроды и подложку.

   Пока прозрачный чип представляет собой скорее интересную игрушку для учёных, чем технологию, которая могла бы заинтересовать промышленные компании. С другой стороны, если какая-либо компания сумеет создать прозрачные мониторы или полупрозрачные сотовые телефоны, то они могут стать довольно популярными.