TSMC перешла на 40нм техпроцесс

   Компания TSMC, производящая пластины для микропроцессоров, сообщила о переходе на 40нм технологический процесс в промышленных масштабах. В этом техпроцессе используется 193-нм иммерсионная литография, диэлектрик с очень низкой диэлектрической постоянной (ultra low-k), может использоваться технология Triple Gate Oxide (TGO, тройной оксидный слой затвора). Low-k диэлектрики (PDF) обычно используются для снижения взаимных емкостей электрических проводников внутри чипа. При этом уменьшается постоянная времени резистивно-емкостных цепочек, что способствует улучшению быстродействия и снижению энергопотребления. Технология Triple Gate Oxide (PDF) является эффективным способом получить чип с бóльшей производительностью за счёт использования более тонкого оксидного слоя затвора и уменьшения токов утечки в подпороговой области.

   Переход на 40нм техпроцесс показывает, что в настоящее время TSMC значительно опережает своих основных конкурентов, IBM, Samsung и UMC. Многие производители уже объявили о планах перейти на 40нм техпроцесс, но пока TSMC является единственной компанией, которая уже запустила массовое производство пластин по более тонкой технологии. Из-за мирового экономического спада продажи TSMC уже заметно сократились, и сейчас она рассчитывает в ближайшее время использовать не больше 75% своих производственных мощностей.