Каталог
ZV
ездный б-р, 19
+7 (495) 974-3333 +7 (495) 974-3333 Выбрать город: Москва
Подождите...
Получить токен
Соединиться
X
Сюда
Туда
x
Не выбрано товаров для сравнения
x
Корзина пуста
Итого: 
Оформить заказ
Сохранить заказ
Открыть корзину
Калькуляция
Очистить корзину
x
X
Главная
Магазины
Каталог
Мои заказы
Корзина
Магазины Доставка по РФ
Город
Область
Ваш город - ?
От выбранного города зависят цены, наличие товара и
способы доставки

Среда, 16 апреля 2008 00:00

IBM приблизилась к созданию памяти, которая не оставит шансов флэш-памяти и магнитным дискам

короткая ссылка на новость:

Racetrack memory   Компьютерная память, превосходящая современную флэш-память и магнитные диски по производительности, надежности и плотности при меньшей цене, может прийти к потребителям раньше, чем было принято думать, благодаря команде ученых IBM.

   Группа исследователей под руководством Стюарта Паркина (Stuart Parkin) разработала технологию, получившую название «трековая память» (racetrack memory — слово racetrack переводится, как «беговая дорожка, трек»). Разработка может стать ключом к созданию нового поколения приборов памяти, с невероятными сегодня значениями плотности хранения и быстродействия. Важными достоинствами новой памяти является малое энергопотребление и невысокая стоимость. Как и в случае флэш-памяти, накопители на базе новой памяти не будут иметь движущихся частей, что положительно сказывается на надежности. В отличие от флэш-памяти, новая память не имеет эффекта «изнашивания».

Racetrack memory   Принцип работы «трековой памяти» построен на возможности хранения информации в стенках магнитных доменов — границах микроскопических областей в магнитных материалах. Для чтения и записи информации используется взаимодействие между стенками доменов и электронами за счет момента переноса спина, возникающего при движении электрона. На схемах показано, как информация записывается и считывается в колонках магнитного материала («беговых дорожках» или «треках»), расположенных параллельно или перпендикулярно поверхности кремниевой пластины.

   Ученым уже удалось теоретически обосновать принципы работы памяти нового типа и проверить их в действии. Результаты экспериментов подтвердили жизнеспособность идеи. По мнению ученых, появления новой памяти в практическом применении можно ожидать в ближайшие десять лет.

Источник: ixbt.com

подписаться   |   обсудить в ВК   |