Производители намерены снизить требования по защите микросхем от электростатики

   Группа компаний подготовила новый документ, регламентирующий уровни безопасного электростатического разряда (ESD) для микросхем.

   Более двух десятилетий производители разрабатывали цифровые микросхемы со встроенными цепями защиты от ESD, способными выдержать напряжение 2000 В (при использовании модели Human Body Model, HBM) и 200 В — для модели Machine Model (MM). Модель HBM соответствует условиям, когда человек касается микросхемы и в точке соприкосновения происходит электростатический разряд, модуль MM позволяет воспроизвести ситуацию, когда наэлектризовывается оборудование, соприкасающееся с микросхемами.

   Отраслевая организация Industry Council on ESD Target Levels предлагает понизить уровни: HBM — до 1000 В, MM — до 30 В.

   В совет, сформированный в прошлом году, вошло 16 крупных компаний: Analog Devices, Advanced Micro Devices, Freescale, Fujitsu, IBM, Infineon, Intel, LSI, Matsushita, NXP, Oki, Renesas, Samsung, Sarnoff, Texas Instruments и TSMC.

   По мнению этих компаний, существующие требования являются избыточными, и приводят к неоправданной потере полезной площади кристалла на реализацию защитных цепей и сопутствующему снижению производительности микросхем. Кроме того, добавление сложных цепей защиты от ESD замедляет цикл разработки нового продукта. Основываясь на статистике отказов и учитывая более строгий, чем раньше, контроль возникновения электростатических разрядов на производстве, участники совета сформулировали более реалистичные требовании для моделей HBM/MM.