Технология Samsung Z-NAND готова конкурировать с Intel Optane

     Поскольку большие объемы данных используются повсеместно, причем возрастает не только количество данных в рабочих массивах, но и их уровень сложности, разрабатываются новые способы приведения в соответствие ресурсов обработки и хранения данных. Intel и Micron в ходе партнерства при разработке технологии памяти 3D XPoint указали компьютерным системам путь к уменьшению «пробок», возникающих при переходе хранящихся на устройстве данных в обработку, с особым акцентом на уменьшении задержки. Samsung, однако, располагает достаточными ресурсами, чтобы попытаться внедрить альтернативные решения для удовлетворения внезапно возникших потребностей рынка, и, являясь одним из важнейших игроков отрасли NAND-технологий, производит впечатление компании, поставившей на сектор Z-NAND.

     На сегодняшний день предполагается, что технология Z-NAND – в том виде, в каком она разрабатывается в Samsung – станет новым воплощением технологии SLC (Single-Level Cell) NAND, с модернизацией контроллера и рядом усовершенствований, способствующих достижению больших значений IOPS при работе как со случайной, так и с последовательной нагрузкой. Технология SLC уже широко используется на рынке SSD, хотя в последние годы в стремлении снизить соотношение цены к объему памяти уступает дорогу технологиям, ориентированным на более высокую плотность данных, таким как MLC и, позднее, TLC NAND. Z-NAND представляет собой возврат к базовым принципам технологии SLC, с некоторыми весьма уместными дополнениями – в то время как технология 3D Xpoint славится своей иногда в 10 раз более низкой задержкой (порядка 10/10 мс при чтении/ записи), технология Z-NAND также доводит величину задержки до невиданного для памяти NAND уровня, определяемого в районе 12-20/16 мс при чтении/ записи.



     Сравнение SSD Optane P4800X емкостью 750 ГБ производства Intel с SSD SZ985 емкостью 800 ГБ – передовым решением Samsung на базе технологии Z-NAND – показывает, что диск Samsung обеспечивает более высокое значение IOPS при случайном чтении, чем диск Optane Intel (750*10³ vs. 550*10³), но уступает ему в части IOPS при записи (175*10³ vs. 550*10³). Диапазон скоростей чтения/записи, однако, показывает преимущество технологии Z-NAND, которая дает в обоих направлениях 3,2 ГБ/с, в то время как диск Optane P4800X дает соответственно 2,4 и 2 ГБ/с, хотя ресурс, обеспечиваемый и той и другой технологией, должен быть примерно одинаковым.

Характеристики SSD Samsung SZ985 Z-NAND

• Форм-фактор: HHHL


• Емкость: 800 ГБ


• Тип памяти: Z-NAND


• Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4


• Скорость передачи данных (размер – 128 кБ)
  • Последовательное чтение/ запись: 3,2/ 3,2 ГБ/с
  
  
• Скорость ввода/ вывода данных (размер – 4 кБ)
  • Непрерывное случайное чтение/ запись: 750 000/ 170 000 IOPS
  
  
• Задержка (при работе с непрерывной случайной нагрузкой)
  • Случайное чтение: 12 – 20 мс
  • Случайная запись (среднее значение): 16 мс
  
  
• Ресурс
  • DWPD: 30