Samsung начинает производство 8-гигабитных чипов памяти DDR4 класса 20 нанометров

   Компания Samsung Electronics объявила о массовом выпуске на базе техпроцесса 20 нанометров самых современных в отрасли чипов памяти стандарта DDR4 объёмом 8 гигабит (Гбит) и модулей памяти объёмом 32 гигабайта на их основе для использования в серверах.

   «Наша 20-нм память DDR4 DRAM на базе 8-гигабитных микросхем с запасом перекрывает потребности в высоком быстродействии, повышенной ёмкости и энергоэффективности как драйверов роста в сегменте серверного оборудования следующего поколения, – сказал вице-президент департамента маркетинга продуктов памяти компании Samsung Electronics Джио Бик (Jeeho Baek). – Расширение производства нашей 20-нм памяти способствует выпуску премиальных продуктов памяти с высокой плотностью хранения данных и удовлетворению растущего спроса на глобальном рынке корпоративных систем премиум класса».        Производство новых 8-гигабитных чипов DDR4 позволило компании Samsung предложить полную линейку 20-нм DRAM-памяти, встав в авангарде новой эры высокоэффективной 20-нм памяти DRAM в дополнение к уже существующим решениям, включая 20-нм 4-гигабитную память DDR3 для персонального компьютера и 20-нм 6-гигабитную LPDDR3 для мобильных устройств.

   Использование чипов памяти 8 Gb DDR4 позволило Samsung в этом месяце дать старт производству 32-гагабайтных модулей памяти типа RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) с возможностью достижения скорости передачи данных до 2400 мегабит в секунду на контакт, обеспечивая прирост производительности на уров6не 29% в сравнении с аналогичным показателем в 1866 Мбит/с в серверных планках памяти стандарта DDR3.        Помимо 32-гигабайтных модулей, новейшие 8-Гб чипы позволят создавать серверные модули памяти максимального объёма 128 Гб за счёт технологии 3D TSV (Through Silicon Via), способствующей дальнейшему развитию рынка ёмкой памяти DRAM. Новейшая ёмкая память DDR4 может похвастаться улучшенным функционалом коррекции ошибок для повышения надёжности работы серверного оборудования. Кроме того, новейшие чипы DDR4 и модули на их основе используют напряжение питания 1,2 Вольта – самый низкий из возможных на сегодня показателей.