НИКС - Компьютерный Супермаркет г. Москва
Звездный бульвар, дом 19 Москва, Россия
Каширское шоссе, дом 96 корпус 1 Москва, Россия
Ивантеевская улица, дом 25А Москва, Россия
МО, Мытищинский район, Сгонниковский с/о, 1-й км Алтуфьевского ш, вл. 2 Москва, Россия
Россошанский проезд, дом 3 Москва, Россия
ул. Ленинская Слобода, дом 26 стр. 2 Москва, Россия
123181, г. Москва, ул. Маршала Катукова, д. 25 Москва, Россия
+7 (495) 974-3333 order@nix.ru
тел. +7 (495) 974-3333
Ваша корзина: Загружается...
Аутлет в Твери в ТЦ Ямском
Скоро открытие нового фирменного магазина НИКС в г.Тверь!
Наименований на складе - 18 000, и это число все растет.
Заказы с оплатой по безналичному расчету выдаются уже сейчас!

Вторник, 2 февраля 2016 17:36

SLC, MLC и TLC

 короткая ссылка на новость:
следующая новость | предыдущая новость
#Тип_чипов #3D_MLC_(Multi_Level_Cell) MLC_(Multi_Level_Cell) #3D_TLC_(Triple_Level_Cell) #TLC_(Triple_Level_Cell)

В современных SSD наиболее распространены три типа чипов памяти NAND: SLC, MLC и TLC.

SLC – Single Level Cell – ячейка с одним уровнем. Имеет высокую производительность, низкое потребление электроэнергии, наибольшую скорость записи и количество циклов Program/Erase. Такой тип памяти обычно используется в серверах высокого уровня, поскольку стоимость SSD на их основе велика.

MLC - Multi Level Cell – ячейка с несколькими уровнями. Обладает меньшей стоимостью, по сравнению с SLC, однако обладает меньшей выносливостью и меньшим количеством циклов Program/Erase. Является хорошим решением для коммерческих и рабочих платформ - имеет хорошее соотношение цена/скорость работы.

eMLC - Enterprise Multi Level Cell – ячейка, аналогичная по структуре обычной MLC, но с увеличенным ресурсом по циклам Program/Erase. По надежности eMLC находится между SLC и MLC, при этом цена не сильно выше, чем у последней. Типичное применение - рабочие станции и серверы среднего класса.

TLC - Three Level Cell – ячейка с тремя уровнями. Обладает большей плотностью, но меньшей выносливостью, медленной скоростью чтения и записи и меньшим количеством циклов Program/Erase по сравнению с SLC и MLC. До настоящего момента, память типа TLC NAND использовалась в основном в flash-накопителях (флешках), однако совершенствование технологий производства сделало возможным его использование и в стандартных SSD.

Все описанные выше типы ячеек памяти относятся к планарному типу,то есть 2D. Их недостатком являюется то, что для увеличения плотности в каждом отдельном чипе приходится уменьшать техпроцесс, и из-за ряда физических ограничений делать это до бесконечности не получится. Для преодоления этого были разработаны 3D ячейки памяти. Такие ячейки представляет собой цилиндр:
3D Cell

Таким образом появляется возможность разместить большее количество ячеек памяти на одном слое микросхемы. Такие ячейки называются 3D V-NAND и 3D TLC. Что касается емкости и надежности, то она соответствует ячейкам TLC.

NAND_Types**
Количество состояний ячейки, в зависимости от типа памяти

Физически, все три типа технологий NAND памяти состоят из одинаковых транзисторов, единственным отличием является то, что они хранят в себе различное количество зарядов. Все три работают одинаково: при появлении напряжения ячейка переходит из состояния «выключено» в состояние «включено». SLC использует два отдельных значения напряжения для представления одного бита информации на ячейку и двух логических уровней (0 и 1). MLC использует четыре отдельных значения напряжения для представления четырех логических состояний (00, 01, 10, 11) или двух битов. TLC использует восемь отдельных значений напряжения для представления восьми логических состояний (000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111) или трех битов информации.

Поскольку в SLC используется только два значения напряжения, они могут сильнее отличаться друг от друга, уменьшая потенциальную возможность некорректно интерпретировать текущее состояние ячейки и позволяя использовать стандартные условия коррекции ошибки NAND. Вероятность ошибок чтения увеличивается при использовании TLC NAND, поэтому такой тип памяти требует большего объема ECC (Error Correction Code – код коррекции ошибок) при исчерпании ресурса NAND, поскольку в TLC приходится корректировать сразу три бита информации, в отличие от одного для SLC и двух для MLC.
 
Источник: НИКС - Компьютерный Супермаркет
подписаться   |   обсудить в общем форуме   |